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蘇州晶湛半導體取得半導體結構及其形成方法專利,提高半導體外延層的性能

日期:2024-08-29 閱讀:246
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 天眼查知識產權信息顯示,蘇州晶湛半導體有限公司取得一項名為“半導體結構及其形成方法“,授權公告號 CN113169227B,申請日期為 2018 年 9 月。專利摘要顯示,提供了一種半導體結構及其形成方法。該半導體結構包括:襯底和設置在襯底上的外延層。外延層的至少一部分摻雜有金屬原子,靠近襯底的外延層的下表面的金屬原子的摻雜濃度高于 1×1017atoms/cm3

 

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