天眼查知識產權信息顯示，蘇州晶湛半導體有限公司取得一項名為“半導體結構及其形成方法“，授權公告號 CN113169227B，申請日期為 2018 年 9 月。專利摘要顯示，提供了一種半導體結構及其形成方法。該半導體結構包括：襯底和設置在襯底上的外延層。外延層的至少一部分摻雜有金屬原子，靠近襯底的外延層的下表面的金屬原子的摻雜濃度高于 1×10¹⁷atoms/cm³。