天眼查知識產(chǎn)權信息顯示，西安奕斯偉材料科技股份有限公司,西安奕斯偉硅片技術有限公司申請一項名為“用于外延設備的處理方法“，公開號 CN202410542371.6，申請日期為 2024 年 4 月。
專利摘要顯示，本公開涉及用于外延設備的處理方法，外延設備包括反應腔室和傳送腔室，反應腔室內(nèi)設置有基座，傳送腔室內(nèi)設置有傳送臂，傳送臂用于將待生長外延的晶圓傳送至基座，處理方法包括：步驟 S1：在第一溫度下向反應腔室通入硅源氣體；步驟 S2：在第二溫度下使傳送臂以未承載晶圓的狀態(tài)從傳送腔室進入反應腔室并從反應腔室返回傳送腔室；以及步驟 S3：在第三溫度下對反應腔室烘烤預定時間，其中，步驟 S2 循環(huán)執(zhí)行多次。通過上述處理方法，能夠以較短的時間完成反應腔室內(nèi)水分的去除并在去除水分的過程中避免基座的 SiC 層受到水分的侵蝕。
