天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示，江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司取得一項(xiàng)名為“一種 GaN 肖特基二極管及其制備方法“，授權(quán)公告號 CN118231482B，申請日期為 2024 年 5 月。

專利摘要顯示，本發(fā)明屬于功率電子器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種 GaN 肖特基二極管及其制備方法。本發(fā)明提供的 GaN 肖特基二極管包括襯底、設(shè)置在襯底上表面的 GaN 層、AlGaN 層、陰極、鈍化層和陽極；陰極同時(shí)與 GaN 層和 AlGaN 層歐姆接觸；AlGaN 層上表面遠(yuǎn)離所述陰極的一側(cè)且非邊緣的區(qū)域設(shè)置有多個分離的 PGaN 柱，相鄰 PGaN 柱之間填充有 NiO 層；所述陽極的一部分與所述 PGaN 柱和 NiO 層肖特基接觸。本發(fā)明對 GaN 肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和材料進(jìn)行優(yōu)化，利用 NiO 的弱 p 型半導(dǎo)體性能，降低了正向開啟電壓；同時(shí)利用 pGaN 柱對二維電子氣的強(qiáng)耗盡作用，保證了器件具有高的反向耐壓，有效提高了 GaN 肖特基二極管的性能。