日本信越化學工業開發出用于制造氮化鎵（GaN）半導體的大型基板。

據媒體報道，此次成功實現大型化的是用于制造氮化鎵化合物半導體的基板。據悉這種基板可用于6G通信半導體以及數據中心使用的功率半導體等。如果使用氮化鎵，就可以在高頻段實現穩定通信，以及進行大功率控制，但一直很難生產出高品質的大型基板，這成為普及的障礙。

信越化學擁有以“QST基板”（使用氮化鋁等材料的自主基板）為基礎，來制備氮化鎵結晶的技術。與硅基板相比，可以制作出更薄、品質更高的氮化鎵結晶。成功開發出了口徑為300毫米的QST基板，面積是此前產品的約2.3倍，與傳統半導體常用的硅基板面積相同。 

（來源：集微）