9月8日消息，天眼查知識產權信息顯示，河北同光半導體股份有限公司取得一項名為“一種低包裹物密度SiC晶體的生長裝置及生長方法“，授權公告號CN117737858B，申請日期為2024年2月。

專利摘要顯示，本申請提供一種低包裹物密度SiC晶體的生長裝置及生長方法，屬于晶體生長技術領域。該生長裝置，包括：籽晶固定件、籽晶、石墨坩堝、感應線圈、保溫組件和耐腐蝕過濾組件；SiC粉料置于石墨坩堝底部；耐腐蝕過濾組件置于石墨坩堝內，并置于SiC粉料上方；耐腐蝕過濾組件為平頂金字塔結構，包括多層微孔TiC環和設置于頂層的微孔TiC板；其中，下層微孔TiC環內徑和外徑大于上層，且下層微孔TiC環內徑小于或等于上層外徑；微孔TiC環和微孔TiC板經碳化工藝碳化處理獲得。本申請平頂金字塔狀的耐腐蝕過濾組件能夠實現料區向上輸運氣態組分中C顆粒的完全過濾，同時，實現調控氣態SiC組分的輸運方向，實現將源于生長區石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣。