天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示，旭矽半導(dǎo)體（上海）有限公司、龍騰半導(dǎo)體股份有限公司取得一項(xiàng)名為“SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件的制備方法“，授權(quán)公告號(hào) CN114520146B，申請(qǐng)日期為 2020 年 11 月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種 SGTMOSFET 半導(dǎo)體器件的制備方法，在第二溝槽區(qū)的側(cè)壁和底部形成多晶硅層，所述多晶硅層包括位于所述第二溝槽區(qū)側(cè)壁的第一介質(zhì)層表面的側(cè)壁多晶硅層，以及位于所述第一氧化層表面的底面多晶硅層，所述底面多晶硅層的厚度厚于所述側(cè)壁多晶硅層的厚度；氧化所述側(cè)壁多晶硅層和所述底面多晶硅層，直至所述側(cè)壁多晶硅層全部氧化成初始第二氧化層，所述底面多晶硅層部分氧化成所述初始第二氧化層；去除所述初始第二氧化層以及位于所述第二溝槽區(qū)的側(cè)壁的第一介質(zhì)層，直至暴露出所述第一氧化層上的剩余的底面多晶硅層；氧化所述剩余的底面多晶硅層，在所述第一氧化層上形成第二氧化層，從而避免出現(xiàn)第一氧化層過薄。