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晶合集成申請一種半導體結構的制作方法及動態調整系統專利,提高半導體結構的良率

日期:2024-09-19 閱讀:243
核心提示:天眼查知識產權信息顯示,合肥晶合集成電路股份有限公司申請一項名為一種半導體結構的制作方法及動態調整系統,公開號 CN2024111

天眼查知識產權信息顯示,合肥晶合集成電路股份有限公司申請一項名為“一種半導體結構的制作方法及動態調整系統“,公開號 CN202411154851.1,申請日期為 2024 年 8 月。

專利摘要顯示,本發明提供一種半導體結構的制作方法及動態調整系統,屬于半導體制造技術領域。制作方法包括:提供一襯底,其上依次形成墊氧化層和墊氮化層;在襯底內形成淺溝槽并沉積絕緣介質;平坦化絕緣介質至與墊氮化層齊平;測量絕緣介質的厚度,與目標值進行比對;絕緣介質的厚度大于目標值,調節絕緣介質的起始厚度,至絕緣介質的厚度等于目標值;若絕緣介質的厚度小于目標值,建立絕緣介質的厚度與干法刻蝕起始程序的對應關系;去墊氮化層;在進行多次去膠工序中,對比去膠工序的次數與干法刻蝕起始程序,去膠工序的次數與干法刻蝕起始程序相等時,開始進行干法刻蝕。

 

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