近日，由浪潮華光參與制定的國家標準《III族氮化物半導體材料中位錯成像的測試透射電子顯微鏡法》經由國家市場監督管理總局（國家標準化管理委員會）正式發布，為III族氮化物半導體材料在微電子器件、光電子器件領域應用位錯成像的測試提供了標準支撐。

《III族氮化物半導體材料中位錯成像的測試透射電子顯微鏡法》描述了用透射電子顯微鏡來進行III族氮化物半導體材料中位錯成像的測試方法，適用于III族氮化物半導體的薄膜或體單晶中位錯的成像測試。III族氮化物半導體材料主要包括GaN、AIN、InN以及上述三種材料的組合體系，如InGaN，AlGaN，AlInGaN等，是目前全球半導體研究的前沿和熱點。 

下一步，浪潮華光將繼續秉持“科技立企”的發展理念，發揮產業優勢，持續完善企業科技創新體制，加快高精尖人才隊伍建設，深化產業鏈上下游協同合作，加快培育新質生產力，聚力推進光電產業高質量發展。

（來源：浪潮華光）