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揚杰電子申請新型多級溝道SiC MOSFET元胞結構與制造方法專利,方法制作工藝簡單

日期:2024-10-29 閱讀:252
核心提示:國家知識產權局信息顯示,揚州揚杰電子科技股份有限公司申請一項名為一種新型多級溝道SiC MOSFET元胞結構與制造方法的專利,公開

 國家知識產權局信息顯示,揚州揚杰電子科技股份有限公司申請一項名為“一種新型多級溝道SiC MOSFET元胞結構與制造方法”的專利,公開號CN 118824858 A,申請日期為2024年7月。

專利摘要顯示,一種新型多級溝道SiC MOSFET元胞結構與制造方法。涉及功率半導體器件技術領域。包括以下步驟:步驟1,提供N+型SiC襯底,并在N+型SiC襯底上生長N型SiC外延層;步驟2,在N型SiC外延層上通過主溝槽高濃度P+型離子注入,形成主溝槽Pplus屏蔽層;步驟3,在N型SiC外延層上通過主溝槽P型離子注入,形成主溝槽Pwell阱區;步驟4,在N型SiC外延層上通過主溝槽高濃度N+型離子注入,形成主溝槽Nplus區;步驟5,在N型SiC外延層上通過次溝槽高濃度P+型離子注入,形成次溝槽Pplus屏蔽層;步驟6,在N型SiC外延層上通過次溝槽P型離子注入,形成次溝槽Pwell阱區;本發明方法制作工藝簡單,效果顯著,不僅適用于新型SiC MOSFET功率器件的制造,同樣適用于Si,GaN基等半導體器件的制造。

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