國家知識產權局信息顯示，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司取得一項名為“一種交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置”的專利，授權公告號CN 221979113 U，申請日期為2024年3月。

專利摘要顯示，本申請提供一種交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置，交流電阻加熱器包括底部發熱體及中部發熱體；底部發熱體用于加熱坩堝內物料裝填區底部的物料，中部發熱體用于加熱坩堝內物料裝填區中上部的物料，且中上部物料的中部發熱體沿軸向單位長度的發熱量大 于底部發熱體沿軸向單位長度的發熱量，如此，可以在物料的底部與中上部之間形成軸向溫度梯度使得底部物料的溫度低于中上部物料的溫度底部分解的SiC氣相組分在上升過程中不會在溫度較高的物料表面結晶，而是直接進入生長腔體內，并通過擴散或對流在籽晶上結晶，提高了晶體的生長速度，且有助于4HSiC晶型的穩定。