日本經濟產業省已批準為汽車部件供應商DENSO Corp和電力電子制造商Fuji Electric Co Ltd提交的總額為2116億日元（14.1億美元）的計劃提供705億日元的補貼，用于日本公司共同投資和生產碳化硅（SiC）功率半導體。

為了應對電氣化趨勢，電裝公司開展了SiC技術開發項目，旨在提高從晶圓和器件芯片到模塊和逆變器的所有產品的質量和效率。同時，富士電機已經積累了廣泛的能力，從開發能夠提高電力電子設備效率和實現更緊湊設計的SiC功率半導體芯片，到相關模塊的批量生產。

根據批準的計劃，兩家公司將結合各自的汽車產品開發和生產技術能力，共同擴大在日本全國高效、穩定供應 SiC 功率半導體的能力。生產基地將包括電裝的大安工廠（SiC晶片）和哥田工廠（SiC外延片）以及富士電機的松本工廠（SiC外延片和SiC功率半導體）。