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上海積塔半導體申請?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利,有效降低器件VFSD

日期:2024-12-19 閱讀:262
核心提示:國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,上海積塔半導體有限公司申請一項名為碳化硅晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法的專利,公開號CN 119133236 A,申請

 國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,上海積塔半導體有限公司申請一項名為“碳化硅晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法”的專利,公開號CN 119133236 A,申請日期為2024年8月。

專利摘要顯示,本申請?zhí)峁┮环N碳化硅晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法。所述方法包括:形成一碳化硅襯底,所述碳化硅襯底內(nèi)形成有阱區(qū),所述阱區(qū)內(nèi)形成有第一摻雜區(qū);于所述第一摻雜區(qū)中形成凹槽并執(zhí)行離子注入形成延伸至所述阱區(qū)內(nèi)的第二摻雜區(qū);于所述碳化硅襯底頂面形成柵極結(jié)構(gòu)以及完全包覆所述柵極結(jié)構(gòu)的柵介質(zhì)層;以及形成貫穿所述柵介質(zhì)層并至少部分暴露所述第二摻雜區(qū)的接觸孔,并于所述接觸孔內(nèi)形成與所述第二摻雜區(qū)相接觸的金屬硅化物層。本申請通過對形成于阱區(qū)內(nèi)的第一摻雜區(qū)進行刻蝕形成凹槽,進而在凹槽處形成延伸至阱區(qū)內(nèi)的第二摻雜區(qū),可以降低第一摻雜區(qū)的區(qū)域壓降,從而達到有效降低器件VFSD的目的。

 

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