國家知識產權局信息顯示，杭州芯邁半導體技術有限公司申請一項名為“一種功率開關器件”的專利，公開號 CN 119133248 A，申請日期為2024年9月。

專利摘要顯示，本申請公開了一種功率開關器件，包括襯底層、外延層、柵極結構和場板結構。柵極結構為平面柵級結構。在功率開關器件的第一表面上，平面柵極結構位于功率開關器件的第一表面，并且在與所述第一表面平行的水平面上具有網眼狀結構。本申請功率開關器件，將平面柵結構設計為網眼狀結構，從而使柵極結構分布于場板結構間的每一個平臺，增加了器件的電流擴散區，提高了器件的功率密度。