國家知識產權局信息顯示，深圳市森國科科技股份有限公司申請一項名為“一種 MOSFET 結構的制作方法及 MOSFET 結構”的專利，公開號 CN 119132964 A，申請日期為 2024 年 11 月。

專利摘要顯示，本發明公開一種 MOSFET 結構的制作方法及 MOSFET 結構，該方法包括：在晶圓上進行離子注入形成 p 型屏蔽區，并在晶圓上刻蝕出溝槽，晶圓包括第一電流傳輸層和第二電流傳輸層，溝槽分布在第二電流傳輸層的兩側；在溝槽下方形成摻雜區，摻雜區位于第二電流傳輸層的兩側；在摻雜區和晶圓上生長柵氧化層和第八阻擋層，通過光刻膠對第八阻擋層進行刻蝕和沉積多晶硅，形成兩個柵極區；形成氧化介質層包裹柵極區，在摻雜區、氧化介質層和第二電流傳輸層上沉積源極區和肖特基接觸區，在晶圓底部沉積漏極區，進行歐姆接觸和肖特基接觸。本發明通過 p 型屏蔽區和摻雜區保護柵極氧化物和肖特基接觸區，并控制導電電流路徑寬度，降低飽和電流，提升短路能力和可靠性。