國家知識產權局信息顯示，安徽格恩半導體有限公司申請一項名為“一種GaN基化合物半導體激光元件”的專利，公開號CN 119171176 A，申請日期為2024年8月。
專利摘要顯示，本發明涉及半導體光電器件技術領域，具體公開了一種GaN基化合物半導體激光元件。該GaN基化合物半導體激光元件，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層、上限制層，上波導層與上限制層之間具有激子聲子量子干涉層；激子聲子量子干涉層的晶格常數分布具有函數y＝A+B*lnx+x曲線分布；激子聲子量子干涉層的禁帶寬度分布具有函數y＝C+D*sinx/x2第三象限曲線分布；該GaN基化合物半導體激光元件，可以解決閾值處的電導上跳、電容下沉和理想因子上跳的突變問題，降低電子空穴的傳輸損耗，提升載流子注入均勻性和增益均勻性，提升激光器光功率；提升光束質量因子。
