國家知識產權局信息顯示，河北同光半導體股份有限公司申請一項名為“一種具有 p/n 結結構的碳化硅單晶柔性膜及其制備方法和應用”的專利，公開號 CN 119181634 A，申請日期為 2024 年 11 月。

專利摘要顯示，本發明涉及單晶柔性膜制造技術領域，具體公開一種具有 p/n 結結構的碳化硅單晶柔性膜及其制備方法和應用。本發明提供的具有 p/n 結結構的碳化硅單晶柔性膜的制備方法，依次在 n 型碳化硅襯底表面同質外延生長 n型碳化硅層、n 型碳化硅層和 p 型碳化硅層，然后采用光電化學刻蝕的方法對制備的碳化硅外延片進行光電化學腐蝕，通過控制特定的光電刻蝕參數，實現了具有 p/n 結結構的碳化硅薄膜的高效剝離，且不會產生對剝離的碳化硅薄膜產生損傷，剝離得到的碳化硅單晶柔性膜可作為柔性基底材料，在其基礎上設計柔性芯片、柔性傳感器等柔性光電子元器件，應用于可穿戴設備、柔性顯示和柔性檢測等領域。