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第六屆全國寬禁帶半導體學術會議通知(第一輪)

日期:2025-03-19 閱讀:1224
核心提示:第六屆全國寬禁帶半導體學術會議會議通知(第一輪)會議時間:2025年8月 13日-16日會議地點:中國大連主辦單位:中國有色金屬學

 第六屆全國寬禁帶半導體學術會議

會議通知(第一輪)

 

 會議時間:2025年8月 13日-16日

會議地點:中國·大連

主辦單位:中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會

中國電子學會電子材料學分會

承辦單位:大連理工大學

東北師范大學

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟

協辦單位:集成光電子全國重點實驗室

寬禁帶半導體超越照明材料與技術全國重點實驗室

國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)


一、會議簡介

近年來,寬禁帶半導體已成為國際半導體及材料領域研究和發展的熱點,已成為全球高技術競爭戰略制高點之一。基于寬禁帶半導體材料,半導體照明已經形成巨大規模的產業,并在電子功率器件、光電子器件等領域繼續深入發展。為推動我國寬禁帶半導體領域的發展,促進產學研交流與協同創新,中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會、中國電子學會電子材料學分會共同主辦全國寬禁帶半導體學術會議,會議每兩年一屆,至今已成功舉辦了五屆,已發展成為我國寬禁帶半導體領域的行業盛會。

 

2025年,“全國寬禁帶半導體學術會議”迎來了第六屆,會議由大連理工大學、東北師范大學和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟聯合承辦。屆時,來自國內寬禁帶半導體領域學術界、產業界的專家學者、科研技術人員、院校師生、企業家代表等,將圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發以及相關設備研發等領域開展廣泛交流,促進產學研用的交流合作。這次會議必將對我國寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步、產業發展起到有力的推動作用。


二、組織機構

名譽主席:甘子釗、王占國鄭有

顧問委員會(按姓氏首字母排序):

褚君浩、杜國同、顧 瑛、關白玉、郝 躍、黃 如、賈明星、江風益、李愛珍、李晉閩、李樹深、劉紀美、劉 明、劉 勝、羅 毅、申德振孫祥楨、王立軍、許寧生、楊德仁、葉志鎮、俞大鵬、張國義、張 榮、張 躍、鄭婉華


大會主席:劉益春

共同主席:沈 波、楊 輝、吳 


程序委員會

主 徐 

副主席:黎大兵、張源濤、朱嘉崎

委 員(按姓氏首字母排序):

敖金平、蔡樹軍、陳 弘、陳 敬、陳堂勝、陳萬軍、陳小龍、程 凱、遲 楠、單崇新、丁琪超、董博宇、馮士維、馮志紅、顧書林、賀東江、黃伯寧、黃 豐、康俊勇、賴占平、李國強、梁 建、劉 斌、劉建平、劉木清、劉 榕、劉新宇、劉 揚、龍世兵、陸 海、羅小蓉、馬曉華、歐 欣、潘 毅、彭俊彪、皮孝東、邱宇峰、盛 況、孫 錢、孫偉鋒、孫小衛、孫曉娟、唐 寧、萬成安、萬玉喜、汪 萊、王德君、王 鋼、王宏興、王建峰王江波、王軍喜、王 立、王新強、吳毅鋒、肖國偉、徐海陽、徐士杰、徐現剛、許福軍、薛玉雄、楊富華、葉建東、于洪宇云 峰、張保平、張 波、張進成、張 龍、張乃千、張清純、張玉明、趙德剛、趙麗霞、鄭晨炎


組織委員會

主 梁紅偉  

副主席:陳志濤、阮軍、張書明

委 員(按姓氏首字母排序):

蔡端俊、曹峻松、陳敦軍、陳 鵬、陳長清、陳秀芳、陳義強、陳志忠、方 方、方文饒、房玉龍、和巍巍、黃少華、黃文海、耿 博、龔 政、郭 清、郭世平、郭 煒、郝茂盛、胡衛國、化夢媛、黃 凱、黃 森、何晨光、紀志坡、蔣 科、矯淑杰、江 灝、鞠光旭、孔月蟬、李炳生、李金釵、李述體、李忠輝、梁劍波、劉軍林、劉可為、劉 雯、劉新科、劉玉懷、劉召軍、劉志強、劉宗亮、陸 敏、呂元杰、梅云輝、馬劍剛、苗振林、母風文、牛萍娟、潘堯波、裴 軼、齊紅基、全知覺、任國強、桑立雯、宋 波、孫海定、孫文紅、孫永強、田朋飛、王光緒、王嘉銘、王來利、王茂俊、王 琦、王榮華、王鑫華、王英民、魏同波、汪煉成、吳 亮、吳嘉偉、吳雅萍、謝志國、徐明升、閆建昌、楊 霏、楊蘭芳楊 樹、楊學林、殷 紅、于彤軍、張佰君、張 輝、張紀才、張建立、張景文、張葦杭、張 雄、張宇昊、張紫輝、趙璐冰、趙 維、周春華周 弘、周 


大會秘書處

秘書長張振中

副秘書長:趙  張克雄 張赫之

成 賈欣龍等

 

三、主要日程

日期

上午

下午

8月13日(星期三)

 

注冊報到

8月14日(星期四)

開幕式及大會報告

分會報告

8月15日(星期五)

分會報告

大會報告及閉幕式

8月16日(星期六)

參觀考察及返程


四、大會主題

綠色能源與智能時代的寬禁帶半導體技術


五、會議征文方向

1.材料生長(氮化物半導體、氧化物半導體、碳化硅、金剛石等)

2.材料物性和表征技術(光、電、磁、熱性質、缺陷物理等)

3.光電子器件及其應用(LED、Micro-LED、LD、光電探測器等)

4.電子器件及其應用(射頻電子器件、功率電子器件、傳感器及集成電路等)

5.新型寬禁帶材料與器件(超寬禁帶半導體、二維寬禁帶半導體、有機寬禁帶半導體等)

6.輻射及高能粒子探測器件

征文要求:

1.符合上述內容的論文摘要;

2.論文摘要主題突出、內容層次分明、數據準確、論述嚴謹、結論明確、采用法定計量單位;

3.論文摘要須以WORD文檔格式,包含標題、作者及其單位地址、正文、圖表、參考文獻等在內不超過一頁A4紙;

4.提交截止日前,以電子郵件方式(郵箱:kxzhang@dlut.edu.cn

hez.zhang@dlut.edu.cn??、zhangzhenzhong@nenu.edu.cn)提交至會議組委會秘書組;相關模板可登錄大會官網或查詢附件;

5.所有論文摘要均編入會議文集。

 


六、重要截止日期

 1.論文摘要提交截止日:2025年4月30日

 2.報告錄用通知截止日:2025年6月15日

 3.注冊費優惠截止日2025年7月10日


七、論文征集聯系人

張克雄:15382208398;??Email: kxzhang@dlut.edu.cn??

張赫之:13478911634;Email: hez.zhang@dlut.edu.cn??

  張振中:18626668329;?Email: zhangzhenzhong@nenu.edu.cn

 

熱烈歡迎相關領域的專家、學者、行業企事業單位參會交流!

 

        

            附件一:第六屆全國寬禁帶半導體學術會議通知(第一輪蓋章版)

            附件二:第六屆全國寬禁帶半導體學術會議投稿模板

 


第六屆全國寬禁帶半導體學術會議組委會秘書處

 

(大連理工大學集成電路學院代章)

2025年3月17日

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