為推動下一代固態配電系統的發展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出了新型CoolSiC™ JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性，使其成為先進固態保護與配電系統的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模式下的熱穩定性以及精確的過壓控制，CoolSiC™ JFET可在各種工業和汽車應用中實現可靠且高效的系統性能，包括固態斷路器（SSCB）、AI數據中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動器、工業安全繼電器以及汽車電池隔離開關等。

Q-DPAK封裝的CoolSiC™ JFET G1

英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁Peter Wawer博士表示：市場需要更加智能、快速且可靠的配電系統，英飛凌將通過CoolSiC™ JFET滿足這一日益增長的需求。這項以應用為導向的功率半導體技術，專為賦能客戶應對這一快速發展領域中的復雜挑戰而設計，為其提供所需的關鍵技術工具。我們自豪地推出具備業界領先的導通電阻（RDS(ON)）的產品，重新定義了碳化硅（SiC）性能標桿，并進一步鞏固了英飛凌在寬禁帶半導體技術領域的領導地位。 

第一代CoolSiC™ JFET擁有最低值為1.5mΩ（750 VBDss）/2.3mΩ（1200 VBDss）的超低RDS(ON)，能夠大幅減少導通損耗。溝道經過優化過的SiC JFET在短路和雪崩故障條件下具有高度的可靠性。該產品采用Q-DPAK頂部散熱封裝，便于并聯，并具備可擴展的電流處理能力，能夠為緊湊型高功率系統提供靈活的布局和集成選項。其在熱應力、過載和故障條件下擁有可預測的開關能力，能夠在連續運行中長期保持極高的可靠性。 

為應對嚴苛應用環境中的散熱和機械問題，CoolSiC™ JFET采用英飛凌先進的.XT互連技術與擴散焊接工藝，從而顯著降低了器件在工業電力系統中常見的脈沖與循環負載下的瞬態熱阻抗，并大幅提升了其可靠性。該器件基于固態功率開關的實際工況測試和驗證，并采用符合行業標準的Q-DPAK封裝，可在工業與汽車應用中實現快速、無縫的設計集成。

 （來源：英飛凌工業半導體）