近日，經浙江省博士后工作辦公室批準，杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導體”)成功獲批設立浙江省博士后工作站，標志著鎵仁半導體在高新技術研發平臺建設和高層次人才培養方面邁上了新臺階。

鎵仁半導體現已開啟博士后招聘工作，誠摯歡迎各位優秀人才加入。

有意向者請將簡歷發送至grhr@garen.cc，主題注明“博后應聘+畢業學校+本人姓名”。招聘詳情請咨詢：

招聘負責人：賴女士

聯系方式：19857178815

鎵仁半導體獲批成立浙江省博士后工作站

 率先邁入8英寸時代，全球首例

此前，鎵仁半導體基于自主創新的氧化鎵單晶生長技術與大尺寸襯底加工技術，成功制備了全球首顆8英寸氧化鎵單晶，并隨后推出全球首款8英寸（200mm）氧化鎵晶圓襯底。我國第四代半導體氧化鎵晶圓襯底率先邁入8英寸時代，不僅填補了全球氧化鎵產業空白，更標志著我國在該領域實現從跟跑到領跑的跨越。

從 2022 年首顆 2 英寸單晶誕生，到2023年4英寸單晶問世以及 2024 年 6 英寸襯底成功制備，再到今日 8 英寸技術突破，鎵仁半導體僅用兩年多時間完成尺寸跨越式升級，刷新了行業記錄，創造了氧化鎵技術領域的 “中國速度”。

鎵仁半導體8英寸氧化鎵晶圓襯底

榮獲SEMI 可持續發展杰出貢獻獎

在 2025 年全球規模最大的半導體行業盛會 SEMICON CHINA 上，杭州鎵仁半導體有限公司全球首發8英寸氧化鎵晶圓襯底，引領電力電子半導體創新，推動綠色零碳產業發展，并榮獲“SEMI 可持續發展杰出貢獻獎”。這一殊榮不僅是對鎵仁半導體長期深耕氧化鎵技術創新的高度認可，更標志著中國在第四代半導體領域的產業競爭力邁入新階段。

鎵仁半導體榮獲SEMI 可持續發展杰出貢獻獎

鎵仁半導體自研氧化鎵專用VB法晶體生長設備全面開放銷售

鎵仁半導體不僅提供氧化鎵單晶襯底產品，還全面開放氧化鎵專用VB法晶體生長設備及配套工藝包的銷售。

2024年9月，鎵仁半導體推出了首臺自研氧化鎵專用晶體生長設備，不僅能夠滿足氧化鎵生長對高溫和高氧環境的需求，而且能夠進行全自動化晶體生長，減少了人工干預，顯著提高了生產效率和晶體質量。

該設備通過工藝控制可獲得多種不同晶面的大尺寸單晶，且支持向更大尺寸單晶的升級，滿足高校、科研院所、企業客戶對氧化鎵晶體生長的科研、生產等各項需求。該型氧化鎵VB法長晶設備及其工藝包已全面開放銷售。

 （來源：鎵仁半導體）