T/CASAS 052—2024《非鉗位感性負載開關應力下GaN HEMT在線測試方法》描述了執行非鉗位感性負載應力下氮化鎵高電子遷移率晶體管在線測試方法，包括原理、測試條件、儀器設備、測試步驟、試驗數據處理和試驗報告。適用于封裝級GaN HEMT器件的生產研發、特性表征、量產測試、可靠性評價及應用評估。

【本文件主要起草單位】

電子科技大學、工業和信息化部電子第五研究所、大連理工大學、上海大學、北京大學、北京大學東莞光電研究院、深圳平湖實驗室、湖南三安半導體有限責任公司、蘇州能訊高能半導體有限公司、杭州長川科技股份有限公司、是德科技（中國）有限公司、佛山市聯動科技股份有限公司、北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟。

【本文件主要起草人】

孫瑞澤、陳萬軍、明鑫、施宜軍、黃火林、任開琳、魏進、劉強、曾威、王小明、石瑜、夏云、劉成、裴軼、孫海洋、耿霄雄、孫承志、陳希辰、高偉。