英諾賽科 (Innoscience) 雙向 VGaN™提供高可靠性、高性能和高性價比，可支持新型雙向電力電子系統。它取代了傳統的背靠背 Si MOSFET，顯著降低了功率損耗，提高了開關速度，并縮小了電源系統的尺寸，降低了 BOM 成本。當前，我們正在擴展組件生態系統，通過100V 低邊驅動 IC INS1011SD 支持 VGaN™。

INS1011SD + VGaN™ 使 BMS 系統更小、更高效、更低成本！

英諾賽科 (Innoscience) 推出全球首款 100V 低邊驅動器芯片 INS1011SD，旨在優化 40V 至 120V 雙向 VGaN™的柵極驅動，簡化 BMS（電池管理系統）中的低邊電池保護，并消除笨重復雜的背靠背 Si MOS 設計。

全球首款，性能卓越

• 超低功耗：8uA 典型靜態電流，極大延長電池待機時間

• 高速開關：具備高速開通和關斷能力，能夠快速響應故障保護系統

• 強驅動力：能夠驅動多顆VGaN™并聯，滿足大電流應用

• 廣泛兼容性：兼容主流AFE和MCU 控制邏輯

• 寬工作電壓與高耐壓：VCC提供從8V-90V的電壓范圍，且關鍵引腳耐壓高

• 標準封裝：標準SOP-8封裝，方便使用和貼裝

革命性替代，顛覆傳統BMS

英諾賽科 100V 低邊驅動芯片 INS1011SD 專為驅動 VGaN™而生，二者結合完美替代傳統兩顆或多顆背靠背SiMOS及其驅動方案，帶來小型化、輕量化、降成本的系統優勢。

• 減小系統尺寸和重量： VGaN™體積小，能夠以一替二，簡化驅動電路；

• 降低系統成本：減小器件數量，如MOSFET、相關驅動及PCB占板面積；

• 提升效率： VGaN™導通電阻Rds(on)更低，開關損耗更??；

• 簡單易用：INS1011SD兼容現有主流AFE/MCU控制邏輯，方便工程師集成到現有BMS設計中

多領域賦能，提升應用價值

高性能 INS1011SD+雙向 VGaN™，可廣泛應用于電池管理系統（BMS）低邊保護、儲能電池包、電動交通電池保護、不間斷電源和蓄電池保護以及電動工具等電池供電設備保護等，實現更小、更輕、更省、更高效的優勢！ 

至此，英諾賽科完成了從單一VGaN™系列到“ VGaN™+專用驅動”的完整解決方案的邁進，推動氮化鎵技術實現更廣泛、更便捷的應用，構建完善生態。