當(dāng)前硅基半導(dǎo)體研發(fā)面臨制程微縮極限、材料缺陷導(dǎo)致良率下降等挑戰(zhàn)，研發(fā)周期長、試錯成本高成為關(guān)鍵瓶頸。

本次講座將介紹顯微表征（EDS、EBSD、Raman）和物性測量（NI、AFM）在硅基半導(dǎo)體中的應(yīng)用，通過多維度數(shù)據(jù)實現(xiàn)從材料組分、結(jié)構(gòu)、工藝與物性間的全面表征，幫助研發(fā)團(tuán)隊快速定位工藝瓶頸（如界面缺陷、應(yīng)力集中或成分偏析等），顯著縮短研發(fā)周期，降低試錯成本，最終提升芯片良率與市場競爭力。

講座時間：2025年8月21日 14:00-15:00

報告主題：硅基芯片研發(fā)加速器：物性測量與顯微表征一站式服務(wù)

分享嘉賓：馬嵐，牛津儀器應(yīng)用科學(xué)家