依托于光刻機的光罩（Litho）工藝是半導體芯片加工流程中的核心工藝，光罩的層數是影響半導體芯片工藝復雜度及加工成本的關鍵指標。當代溝槽-場截止型IGBT一般采用9-10層光罩進行加工。

安建早于2019年即在國內頂尖8-inch晶圓廠成功開發并量產了僅采用7層光罩工藝的第七代溝槽-場截止IGBT技術，是國內第一家量產第七代IGBT的國產廠家，并完全擁有相關自主知識產權。

近期，安建將自有專利的第7層光罩工藝流程成功轉移至國內頂級12-inch IGBT加工平臺，也是國內首家推出基于7層光罩工藝的12-inch第七代IGBT的國產廠家。此項技術突破表征了安建在國內IGBT芯片及加工工藝設計方面的雙重技術領先優勢。

下圖為安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓。

光罩層數的減少并未對器件性能、堅固性及可靠性造成任何影響。下圖為采用上述晶圓封裝的第七代1200V-25A PIM模塊，型號為JG1A25P120DG2（pin-to-pin兼容國外進口的第七代EasyPIM-1B™模塊）。相應的模塊產品已通過工業變頻及伺服驅動等客戶測試認證。

相應模塊在某知名客戶4kW高頻電機變頻器（載頻16kHz）完全通過各類極限工況測試，測試結果如下：

驅動波形：

相間短路波形：

1s急減速測試波形：

安建科技有限公司是一家專門從事功率半導體元器件產品設計、研發及銷售的高科技公司， 擁有由香港科技大學教授、大中華區唯一一位從事硅基功率半導體研究的美國電子電氣工程師學會院士（IEEE Fellow）所領銜的業內頂尖技術團隊。公司現有低電壓的SGT-MOSFET（分裂柵金屬氧化物場效應晶體管）、高電壓的SJ-MOSFET（超結金屬氧化物場效應晶體管）、Field Stop Trench IGBT（絕緣柵雙極晶體管）三條成熟的產品線，且研發的功率芯片得到了國內多家應用客戶的認可，目前已經在眾多領域穩定運行。