作為寬帶隙材料，GaN具有擊穿電壓高、熱導率大、開關頻率高，以及抗輻射能力強等優勢。在低缺陷密度塊體 GaN 襯底上生長低缺陷密度外延層，與在非 GaN 襯底上制造的橫向GaN器件相比，它導致垂直功率器件在電壓和熱應力下具有更高的可靠性。垂直 GaN 功率器件能夠為要求最苛刻的應用供電 ，例如數據中心 服務器、電動汽車、太陽能逆變器 、電機和高速列車的電源。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間，“氮化鎵功率電子器件技術分會“上，成都氮矽科技有限公司器件設計總監朱仁強帶來了“增強型功率氮化鎵器件結構設計進展”的主題報告。

功率氮化鎵目前主要采用橫向結構（GaN-on-Si Lateral HEMT）。垂直氮化鎵器件中存在氮化鎵襯底成本高的挑戰。報告圍繞增強型氮化鎵垂直功率器件，分享了GaN HEMT基本結構、Cascode實現常關型、氟離子注入技術、凹槽柵結構、三維Tri-gate結構，p-GaN gate結構等技術內容，以及GaN HEMT器件設計思路，功率氮化鎵HEMT器件產業界技術路線。其中，p-GaN gate 結構實現增強型器件，柵極區域插入p-(Al)GaN，提升導帶能級，以實現二維電子氣耗盡，工藝相對簡單可控，器件穩定性高。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考?。?/p>