張榮：基于寬禁帶半導
4150
郝躍： 寬禁帶與超寬
4100
黃火林：GaN基增強型H
1320
孫瑞澤：全氮化鎵集成
970
郭煒：III族氮化物極
1940
湯瀟：全溶液法沉積柔
1840
朱志甫：10BN中子探測
1000
陳鵬：GaN基肖特基功
3130
徐尉宗：具有高可靠感
1730
葉建東：氧化鎵基雙極
3600
李天義：SiC紫外單光
1690
汪萊：寬禁帶半導體異
1180
楚春雙：基于III族氮
1980
周玉剛：基于Ag、Mg金
1580
蔡端俊：氫元素對深紫
3290
吳雅蘋：氮化物半導體
590
李強：hBN薄膜的磁控
870
歐欣：異質集成氧化鎵
1770
方志來：P型氮摻雜β-
2890
龍世兵：超寬禁帶氧化
3430
