張榮：基于寬禁帶半導
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郝躍： 寬禁帶與超寬
4100
黃火林：GaN基增強型H
1320
孫瑞澤：全氮化鎵集成
970
郭煒：III族氮化物極
1940
湯瀟：全溶液法沉積柔
1840
朱志甫：10BN中子探測
1000
陳鵬：GaN基肖特基功
3130
徐尉宗：具有高可靠感
1730
葉建東：氧化鎵基雙極
3590
李天義：SiC紫外單光
1690
汪萊：寬禁帶半導體異
1180
楚春雙：基于III族氮
1980
周玉剛：基于Ag、Mg金
1580
蔡端?。簹湓貙ι钭?/p>
3290
吳雅蘋：氮化物半導體
590
李強：hBN薄膜的磁控
870
歐欣：異質集成氧化鎵
1770
方志來：P型氮摻雜β-
2890
龍世兵：超寬禁帶氧化
3430
