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湖北大學陳興馳：基于
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湖北大學陳興馳：基于
基于n-ZnO/n-Ga2O3/p-GaN異質(zhì)結(jié)與pn結(jié)耦合增強型自驅(qū)動紫外探測器研究陳興馳，陳劍，樊啟賢，毛佳興，張忠輝，許雅俊，盧寅梅，何云斌*湖北大學
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guansheng2022-09-01 16:22
浙江大學楊樹：基于界
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浙江大學楊樹：基于界
基于界面調(diào)控的垂直型GaN功率二極管研究楊樹浙江大學
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guansheng2022-09-01 14:37
北京大學劉軒：基于結(jié)
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北京大學劉軒：基于結(jié)
基于結(jié)終端擴展的kV級硅基GaN準垂直結(jié)構(gòu)pn二極管劉軒，王茂俊*，魏進，文正，解冰，郝一龍，楊學林，沈波北京大學
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guansheng2022-09-01 13:46
中電科13所高楠：MOCV
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中電科13所高楠：MOCV
MOCVD生長高質(zhì)量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龍*，尹甲運，張志榮，王波，李佳，蘆偉立，陳宏泰，牛晨亮中國電子科技集團公司第十三研究所
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guansheng2022-09-01 13:45
中科院微電子所黃森：
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中科院微電子所黃森：
全GaN功率器件與集成研究黃森*，蔣其夢，王鑫華，魏珂，劉新宇中國科學院微電子研究所
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guansheng2022-09-01 13:43
中科院蘇州納米所孫錢
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中科院蘇州納米所孫錢
硅基GaN電子器件研究進展孫錢中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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guansheng2022-09-01 13:42
南京大學周峰：從應
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南京大學周峰：從應
從應用端看GaN功率電子器件面臨的關(guān)鍵可靠性難題及器件性能提升方案周峰，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海*南京大學
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guansheng2022-09-01 13:29
中科院蘇州納米所郭小
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中科院蘇州納米所郭小
1200V級硅襯底GaN縱向PiN功率二極管郭小路，鐘耀宗，周宇，陳昕，閆書萌，劉建勛，孫秀建，孫錢*，楊輝中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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guansheng2022-09-01 12:50
中國科學院微電子所金
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中國科學院微電子所金
面向全GaN集成的高性能GaN基增強型p-FET器件研究金昊，蔣其夢*，黃森*，王鑫華，王英杰，戴心玥，樊捷，魏珂，劉新宇中國科學院微電子研究所
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guansheng2022-09-01 12:49
南京大學陳鵬：GaN基
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南京大學陳鵬：GaN基
GaN基肖特基功率器件研究新進展陳鵬*，徐儒，劉先程，梁子彤，殷鑫燕，謝自力，修向前，陳敦軍，劉斌，趙紅，張榮，鄭有炓南京大學
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guansheng2022-09-01 12:38
中科院寧波材料所郭煒
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中科院寧波材料所郭煒
基于極化調(diào)控的GaN HEMT隔離特性研究戴貽鈞，郭煒*，陳荔，李曉航，葉繼春中國科學院寧波材料技術(shù)與工程研究所
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guansheng2022-09-01 12:27
中科院北京納米所胡衛(wèi)
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中科院北京納米所胡衛(wèi)
壓電能帶工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟，胡衛(wèi)國*中國科學院北京納米能源與系統(tǒng)研究所
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guansheng2022-09-01 12:22
南京大學王海萍:基于
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南京大學王海萍:基于
基于增強型p-GaN HEMT的高性能紫外光電晶體管王海萍，游海帆，陳敦軍*，張榮，鄭有炓南京大學
54800
guansheng2022-09-01 12:16
江蘇第三代半導體研究
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江蘇第三代半導體研究
GaN基Micro-LED同質(zhì)外延及其性能表征王國斌*，閆其昂，周溯沅，李增林，蘇旭軍，劉宗亮，王建峰，徐科江蘇第三代半導體研究院有限公司中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司
55400
guansheng2022-09-01 11:36
南京大學莊喆：InGaN
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南京大學莊喆：InGaN
InGaN基紅光Micro-LED器件研究莊喆*，劉斌，張榮南京大學
55000
guansheng2022-09-01 11:34
清華大學汪萊：GaN基
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清華大學汪萊：GaN基
GaN基高速藍綠光Micro-LED研究進展汪萊*，王磊，李振浩，郝智彪，羅毅清華大學
56900
guansheng2022-09-01 11:30
北京大學陳兆營：面向
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北京大學陳兆營：面向
面向氮化物全彩顯示的InGaN基紅光Mini/Micro-LED研究陳兆營，盛博文，劉放，李鐸，袁澤興，葛惟昆，沈波，梁文驥，趙春雷，閆龍，Jason Hoo，郭世平，王新強*北京大學
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guansheng2022-09-01 11:23

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