2024年7月，杭州鎵仁半導體有限公司在氧化鎵晶體生長與襯底加工技術上取得突破性進展，成功制備出3英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底，為目前國際上已報導的最大尺寸，達到國際領先水平。

3英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底

在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現。首先，（010）襯底熱導率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）襯底具有較快的外延生長速率；第三，基于（010）襯底制備的器件具有更優異的性能。目前，鎵仁半導體推出晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底產品，該產品面向科研市場，滿足科研領域對(010)襯底的需求，促進業內產學研協同合作。

杭州鎵仁半導體有限公司主要從事氧化鎵等半導體單晶材料的研發與生產，已獲批國家級科技型中小企業、浙江省創新型中小企業，并牽頭獲批浙江省科技廳“領雁”等多個項目，具有雄厚的生產研發實力。

此前，鎵仁半導體聯合浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室，采用楊德仁院士團隊自主開創的鑄造法成功制備了高質量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶襯底。2024年4月，杭州鎵仁半導體有限公司推出了新產品2英寸晶圓級(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底，并實現了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產，打破了國際壟斷。

未來，公司研發團隊將繼續開展自主創新工作，逐步突破更低成本、更高質量的氧化鎵襯底，推動氧化鎵產業高質量發展，助力“碳中和”、“碳達峰”的發展目標。

[公司產品一覽表]

[公司簡介]

杭州鎵仁半導體有限公司成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導體材料研發、生產和銷售的科技型企業。公司開創了氧化鎵單晶生長新技術，擁有國際、國內發明專利十余項，突破了美國、德國、日本等西方國家在氧化鎵襯底材料上的壟斷和封鎖。鎵仁半導體立足于解決國家重大需求，將深耕于氧化鎵上游產業鏈的持續創新，努力為我國的電力電子等產業的發展提供產品保障。