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【極智報(bào)告】南京大學(xué)陳琳：6英寸GaN襯底生長(zhǎng)用HVPE反應(yīng)腔的三維數(shù)值模擬

南京大學(xué)教授陸海報(bào)告中介紹了寬禁帶半導(dǎo)體紫外光電探測(cè)器及其應(yīng)用進(jìn)展。介紹了基于III族氮化物半導(dǎo)體和SiC的高性能UV光電探測(cè)器的材料生長(zhǎng)，設(shè)計(jì)和制造方面的最新工作。

深紫外(DUV)和極深紫外(EUV)探測(cè)器在光刻、天文監(jiān)測(cè)以及國(guó)防預(yù)警等諸多領(lǐng)域具有非常廣闊的應(yīng)用前景。在適用于DUV和EUV探測(cè)的所有