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英諾賽科研發中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術：從器件、封裝、到系統》研究報告

本期嘉賓蘇州能訊高能半導體有限公司總經理任勉為我們分享的主題是《氮化鎵主題報告（二）氮化鎵（GaN）電子器件產業發展》

周達成授表示，在過去十年中，基于兩個寬禁帶（WBG）半導體（GaN和SiC）的功率開關器件正在影響功率電子系統，這是由于其良好的工業效用和改善的性能，且比傳統的硅基器件的功率損耗低和能量效率高。他表示，通過模擬和實驗應力（如電流崩塌和高溫反偏），評估了現有......請在WIFI條件下反復觀看！