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AlGaN基深紫外發(fā)光器件設(shè)計(jì)與仿真研究Design and simulation of AlGaN-based Deep Ultraviolet Emitters劉玉懷鄭州大學(xué)電氣與信息工程學(xué)院教授、科技部電子材料與系統(tǒng)國(guó)家級(jí)國(guó)際聯(lián)合研究中心主任、河南省電子材料與系統(tǒng)國(guó)際聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室主任LIU YuhuaiProfessor and Director of National Center for International Joint Research of Electronic Materials and Systems, International Joint-Laboratory of Electronic Materials an

Adding efficiency to electronics with III-Nitride technologySrabanti CHOWDHURY美國(guó)斯坦福大學(xué)電氣工程副教授Srabanti CHOWDHURYAssociate Professor of Electrical Engineering and Senior Fellow at the Precourt Institute for Energy, USA

《面向復(fù)雜電氣應(yīng)用環(huán)境的高可靠性GaN功率電子器件研究》作者：陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

日本國(guó)立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來(lái)了題為超寬禁帶氧化半導(dǎo)體的生長(zhǎng)和特性的主題報(bào)告。郭其新主要從事半導(dǎo)體材料制備與表征，同步輻射光應(yīng)用研究。報(bào)告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導(dǎo)體薄膜的生長(zhǎng)和特性。通過(guò)對(duì)于In和Al元素的調(diào)整我們可以調(diào)整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅(qū)動(dòng)電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時(shí)，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的

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極智報(bào)告|浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)盛況分享《第三代半導(dǎo)體支撐交通強(qiáng)國(guó)建設(shè)》主題報(bào)告。請(qǐng)您點(diǎn)擊頁(yè)面頂端下載極智頭條APP，更多精彩學(xué)術(shù)報(bào)告免費(fèi)看！