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所有的技術都有一個發展過程，尤其對于電網來說，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。國家電網全球能源互聯網研究院功率半導體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網當中的應用。其中對電網整體對材料的要求，材料部分的需求和裝備的國內國際進展進行了細致介紹。他表示，預期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應當是可以達到應用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應該可以達到應用水平，這樣來說對電網的預期是整

北京大學微電子學院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關硅基GaN MOSHEMT”新進展報告。她主要介紹了一種無等離子體、自停止的柵刻蝕技術，在 優化的HEMT結構上實現了高性能的增強型GaN MOSHEMT。

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泰科天潤半導體科技（北京）有限公司（以下簡稱“泰科天潤”）是中國碳化硅（SiC）功率器件產業化的倡導者之一，致力于中國半導體功率器件制造產業的發展，并向全球功率器件消費者提供優質的半導體功率器件產品和專業服務。 作為國內唯一一家碳化硅研發生產和平臺服務型公司，泰科天潤目前在北京已建成國內第一條完整的4～6寸碳化硅器件量產線，可在SiC外延上實現半導體功率器件的制造工藝。 泰科天潤的產品線涉及基礎核心技術產品、碳化硅成型產品以及多套行業解決方案。公司基礎核心產品以碳化硅肖特基二極管為代表，其中6

周達成授表示，在過去十年中，基于兩個寬禁帶（WBG）半導體（GaN和SiC）的功率開關器件正在影響功率電子系統，這是由于其良好的工業效用和改善的性能，且比傳統的硅基器件的功率損耗低和能量效率高。他表示，通過模擬和實驗應力（如電流崩塌和高溫反偏），評估了現有......請在WIFI條件下反復觀看！

美國Wolfspeed 電力設備研究科學家Jon ZHANG教授帶來“碳化硅功率器件的現狀與展望”主題報告。Jon ZHANG教授表示，功率半導體器件是電力電子系統的重要組成部分，其決定了能量調節系統的效率、尺寸和成本。功率器件的進步革新了電力電子系統。針對不同的應用，如今的商業市場提供了廣泛的電子器件。在所有類型的電力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模塊中最常用的組件。盡管有這些優勢，Si 功率器件正在接近他們的性能極限。