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軌道交通SiC功率器件研究與應用進展劉國友株洲中車時代電氣股份有限公司中車科學家、功率半導體與集成技術全國重點實驗室副主任

超寬禁帶半導體氧化鎵和氮化鋁特性研究Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN張道華深圳平湖實驗室第四代半導體首席科學家、新加坡工程院院士ZHANG DaohuaChief Scientist of Fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory, Academician the Academy of Engineering, Singapore

高品質磷化銦襯底對激光器性能影響研究Effect of High Quality InP Substrate on Laser Performance惠峰云南鍺業公司首席科學家、云南鑫耀半導體材料有限公司總經理HUI FengChief Scientist of Yunan Germanium Co.,ltd

金剛石微波功率器件進展Progress in Diamond Microwave Power Devices馮志紅中國電科首席科學家、中國電科13所研究員、專用集成電路國家級重點實驗室常務副主任FENG ZhihongHebei Semiconductor Research lnstitute

新型MO源及在第三代半導體中的應用Novel MO Sources and Their Applications in Wide Bandgap Semiconductors楊敏江蘇南大光電材料股份有限公司首席科學家

未來顯示技術的發展方向Display Technology Development and Technical Challenges袁廣才--京東方科技集團顯示與傳感器件研究院院長、半導體技術首席科學家YUAN Guangcai--President and Chief scientist of DisplaySensor Research Institute of BOE

極智報告|日本理化所量子光電設備實驗室主任兼首席科學家Hideki HIRAYAMA：高效率AlGaN深紫外LED的研究進展 更多精彩報告，敬請點擊頁面頂端下載極智頭條APP。

耶魯大學研究科學家宋杰分享了“納米孔GaN作為高反射和熔覆層的III族氮化物激光器”報告。他表示，我們制備了由納米孔狀的GaN和無孔GaN薄膜的周期結構組成的布拉格反射層，通過4～5對的DBR層就獲得了高達99.9%的放射率，并且顯著地提高了激光二極管結構中的光學限制因子，使得閾值材料gain降低至400cm-1，比之前報道的低了二倍，表明我們可以顯著地降低激光器的開啟閾值電流以及提高光電轉化效率。同時，我們也采用納米孔狀的GaN和無孔GaN組成的布拉格反射層引用到VCSEL結構中，實現了光激射的VCSE

美國Wolfspeed 電力設備研究科學家Jon ZHANG教授帶來“碳化硅功率器件的現狀與展望”主題報告。Jon ZHANG教授表示，功率半導體器件是電力電子系統的重要組成部分，其決定了能量調節系統的效率、尺寸和成本。功率器件的進步革新了電力電子系統。針對不同的應用，如今的商業市場提供了廣泛的電子器件。在所有類型的電力器件中，IGBTs和FRDs是目前是分立器件和功率模塊中最常用的組件。盡管有這些優勢，Si 功率器件正在接近他們的性能極限。