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SiC單晶的坩堝結構及PVT生長工藝條件的改進SiC Single Crystals with Modification of Crucible Structure and Process Condition for PVT GrowthWon-Jae LEE韓國東義大學教授、釜山電力半導體研究所所長Won-JaeLEEProfessor of Dong-Eui University,Director of Busan Power Semiconductor Lab.

6英寸復合襯底上厚GaN外延生長研究Growth of Thick GaN Epilayers on 150mm Engineered Substrate韓穎中國電子科技集團第十三所高級工程師HAN YingSenior Engineer of Hebei Semiconductor Research Institute

氧化鎵異質結功率晶體管Gallium Oxide Heterogeneous and Heterojunction Power Transistors韓根全西安電子科技大學教授HAN GenquanProfessor of Xidian University

浙江大學城市學院城市管理研究中心主任韓明清：美化or丑化？對城市景觀照明的冷思考

韓國國立首爾大學的Jung Eek SON教授分享了《作物生產系統中采用3D模型和光學模擬進行針對遮雨棚光投射、光合作用、光照利用率的評估》研究報告。他介紹說，在植物生產系統中，為了提高生產力和降低成本，必須提高光的利用效率，為此需要在不同的光照條件下估算冠層的光截獲量。該研究以LED為光源，評估了不同生長條件下生菜的光截獲、光合速率及光利用效率。采用三維掃描植物模型和射線追蹤模擬方法，對萵苣的光截獲率進行了估算

韓國嶺南大學教授Ja-soon JANG 介紹了GaN基發光二極管器件可靠性特性分析方法技術報告。他表示，發光二極管（LED）技術已經迅速發展以滿足LED應用領域的各種需求，如汽車照明，手術照明和IT可控智能照明。 隨著LED的重要性越來越大，可靠性問題越來越重要。 他分享了最近的可靠性問題，并考慮到可以解決可靠性問題的可行方法。為此，我們從遺傳個體和外部誘導的退化因素、復雜因素和觸發因子等方面進行研究，新提出了影響LED可靠性行為的邊界條件（芯片和封裝之間）以及影響因素，以確保LED的哪些部分易受