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趙德剛：GaN材料碳雜
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趙德剛：GaN材料碳雜
《GaN材料碳雜質(zhì)行為與激光器研究進(jìn)展》作者：趙德剛單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
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limit2022-01-05 15:33
江曉松：寬禁帶半導(dǎo)體
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江曉松：寬禁帶半導(dǎo)體
《寬禁帶半導(dǎo)體工藝氣體純化》作者：江曉松單位：上海先普氣體技術(shù)有限公司
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limit2022-01-05 15:28
呂澤升：High Perform
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呂澤升：High Perform
High Performance InGaN/GaN Visible-light Photodetectors using Polarization-induced p-type Doping作者：呂澤升，郭瑤，寥鐘
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limit2022-01-05 13:26
李思哲：用于Micro LE
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李思哲：用于Micro LE
《用于Micro LED驅(qū)動(dòng)的ZnO短溝道薄膜晶體管》作者：李思哲，陳雪，吳昊，劉昌單位：武漢大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)教育部
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limit2022-01-05 13:24
龔政：氮化鎵基Micro-
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龔政：氮化鎵基Micro-
《氮化鎵基Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移及紅光芯片進(jìn)展》作者：龔政單位：廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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limit2022-01-05 13:22
李虞鋒：Nanoscale Ch
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李虞鋒：Nanoscale Ch
Nanoscale Characterization of Surface Plasmon-Coupled Photoluminescence Enhancement in Pseudo Micro Blue LEDs Using Near
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limit2022-01-05 13:20
程凱：新型GaN外延結(jié)
2290
程凱：新型GaN外延結(jié)
《新型GaN外延結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用》作者：程凱單位：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
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limit2022-01-05 13:18
劉斌：量子點(diǎn)/氮化物
1890
劉斌：量子點(diǎn)/氮化物
《量子點(diǎn)/氮化物半導(dǎo)體集成結(jié)構(gòu)的Micro-LED器件制備與應(yīng)用》作者：劉斌，許非凡，余俊馳，陶濤，陸海，陳敦軍，張榮單位：南京大
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limit2022-01-05 11:31
黃思溢：基于水平常壓
2540
黃思溢：基于水平常壓
《基于水平常壓式MOCVD的低溫p-GaN生長(zhǎng)與性能表征》作者：黃思溢，池田昌夫，張名龍，張峰，朱建軍，劉建平，楊輝單位：中國(guó)科學(xué)
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limit2022-01-05 11:27
余佳東：等離子體密度
2650
余佳東：等離子體密度
《等離子體密度對(duì)ICP-MOCVD生長(zhǎng)GaN薄膜的影響》作者：余佳東，羅毅，王健，張子軒，李翔，汪萊，郝智彪單位：北京信息科學(xué)與技術(shù)
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limit2022-01-05 11:25
趙見(jiàn)國(guó)：非極性(11-20
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趙見(jiàn)國(guó)：非極性(11-20
《非極性(11-20)面P型GaN和全組分InGaN的MOCVD生長(zhǎng)與研究》作者：趙見(jiàn)國(guó)，陳凱，胡文曉，宮毛高，劉斌，陶濤，謝自力，嚴(yán)羽，張
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limit2022-01-05 11:22
宋文濤：液態(tài)銦氮化生
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宋文濤：液態(tài)銦氮化生
《液態(tài)銦氮化生長(zhǎng)高質(zhì)量氮化銦》作者：李凱，黃增立，劉爭(zhēng)暉，徐耿釗，韓廈，陳科蓓，張春玉，宋文濤，徐科單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州
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limit2022-01-05 11:20
張峰：Atomic layer d
2220
張峰：Atomic layer d
Atomic layer deposition of AlN on 4H-SiCAuthor: Feng Zhang, Zhanwei Shen, Jun ChenInstitute: Xiamen University, Institut
22200
limit2022-01-05 11:17
黃豐：寬禁帶半導(dǎo)體材
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黃豐：寬禁帶半導(dǎo)體材
《寬禁帶半導(dǎo)體材料中載流子調(diào)控的普適性原理探討》作者：黃豐單位：中山大學(xué)材料學(xué)院
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limit2022-01-05 11:13
石芝銘：寬禁帶III族
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石芝銘：寬禁帶III族
《寬禁帶III族氮化物中點(diǎn)缺陷單光子發(fā)射的理論研究》作者：石芝銘，臧行，齊占斌，孫曉娟，黎大兵單位：中科院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械
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limit2022-01-05 11:09
劉志彬：濺射中痕量氧
2590
劉志彬：濺射中痕量氧
《濺射中痕量氧氣對(duì)高溫退火AlN模板的極性調(diào)節(jié)作用》作者：劉志彬，郭亞楠，閆建昌，曾一平，李晉閩，王軍喜單位：中國(guó)科學(xué)院半
25900
limit2022-01-05 11:07
陳荔：基于高溫?zé)嵬嘶?/p>
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陳荔：基于高溫?zé)嵬嘶?/a>
《基于高溫?zé)嵬嘶鸺夹g(shù)的半極性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陳荔，郭煒，林偉，陳航洋，康俊勇，葉繼春?jiǎn)挝唬褐袊?guó)科學(xué)院寧波
21800
limit2022-01-05 11:02
Ye Yuan: The prepara
1570
Ye Yuan: The prepara
The preparation of low-cost and 4 inch AlN template for high performance UVC-LEDAuthor: Ye Yuan, Shangfeng Liu, Lijie Hu
15700
limit2022-01-05 11:00
魏同波：石墨烯驅(qū)動(dòng)的
1680
魏同波：石墨烯驅(qū)動(dòng)的
《石墨烯驅(qū)動(dòng)的應(yīng)力工程實(shí)現(xiàn)用于深紫外LED的無(wú)應(yīng)變AlN薄膜的高質(zhì)量外延》作者：常洪亮，魏同波，王軍喜，李晉閩單位：中國(guó)科學(xué)院
16800
limit2022-01-05 10:53
許福軍：AlGaN基深紫
3450
許福軍：AlGaN基深紫
《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學(xué)物理學(xué)院
34500
limit2022-01-05 09:53

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