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中電科第十三所高級工
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中電科第十三所高級工
6英寸復合襯底上厚GaN外延生長研究Growth of Thick GaN Epilayers on 150mm Engineered Substrate韓穎中國電子科技集團第十三所高級工程師HAN YingSenior Engineer of Hebei Semiconductor Research Institute
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IFWS
2025-01-09 14:27
中電科13所高楠:MOCV
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中電科13所高楠:MOCV
MOCVD生長高質量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠,房玉龍*,尹甲運,張志榮,王波,李佳,蘆偉立,陳宏泰,牛晨亮中國電子科技集團公司第十三研究所
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guansheng
2022-09-01 13:45
【視頻報告 2018】南
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【視頻報告 2018】南
【極智報告】南京大學陳琳:6英寸GaN襯底生長用HVPE反應腔的三維數值模擬
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limit
2021-04-29 12:23
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