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濱田公守:最新高性能S
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濱田公守:最新高性能S
最新高性能SiC MOSFET技術(shù)助力未來SiC市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)The Latest High Performance SiC MOSFET Technology Trend for Future SiC Market Development濱田公守日本華為股份有限公司高級(jí)首席專家Kimimori HAMADASenior Chief Expert Huawei Technologies Japan
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IFWS2025-01-09 15:43
中電科55所劉奧：SiC
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中電科55所劉奧：SiC
SiC MOSFET熱阻精確測(cè)量技術(shù)研究Research on the technique of accurately measuring thermal resistance of SiC MOSFET劉奧中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所LIU AONanjing Electronics Research Institute
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guansheng2023-05-22 13:56
武漢大學(xué)研究員張召富
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武漢大學(xué)研究員張召富
4H-SiC MOSFET中界面碳團(tuán)簇的形成和遷移率退化機(jī)理Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs張召富武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院研究員ZHANG ZhaofuProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University
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guansheng2023-05-22 13:56
芯干線市場(chǎng)總監(jiān)孔令濤
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芯干線市場(chǎng)總監(jiān)孔令濤
GaN HEMT與SIC MOSFET在戶用儲(chǔ)能PCS方向應(yīng)用優(yōu)勢(shì)Advantages in household energy storage PCS using GaN HEMT and SiC MOSFET https://fanyi.baidu.com/?aldtype=85孔令濤--南京芯干線科技有限公司市場(chǎng)總監(jiān)
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guansheng2023-05-22 13:54
東南大學(xué)教授劉斯揚(yáng)：
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東南大學(xué)教授劉斯揚(yáng)：
電熱應(yīng)力下碳化硅功率MOSFET損傷的多尺度探測(cè)表征方法Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress劉斯揚(yáng)東南大學(xué)教授LIU SiyangProfessor of Southeast University
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guansheng2023-05-22 13:50
復(fù)旦大學(xué)副研究員雷光
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復(fù)旦大學(xué)副研究員雷光
比電阻3.3毫歐.平方厘米的1200伏14毫歐SiC MOSFET1200V 14mohm SiC MOSFET with Rsp,on of 3.3mohm.cm^2雷光寅復(fù)旦大學(xué)副研究員LEI GuangyinAssociate Professor of Fudan University
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guansheng2023-05-22 13:50
浙江大學(xué)特聘研究員任
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浙江大學(xué)特聘研究員任
1200V SiC MOSFET抗輻射可靠性研究Investigation of 1200V SiC MOSFET Radiation Ruggedness任娜浙江大學(xué)特聘研究員REN NaProfessor of Zhejiang University
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guansheng2023-05-22 13:48
楊霏：6500V SiC MOSF
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楊霏：6500V SiC MOSF
6500V SiC MOSFET器件研制及電力電子變壓器工程應(yīng)用Development of 6500V SiC MOSFET Devices and Engineering Application of Solid State Transformers楊霏北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體所副總師
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guansheng2023-05-22 13:46
Tibor GRASSER教授：P
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Tibor GRASSER教授：P
Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETsTibor GRASSER奧地利維也納工業(yè)大學(xué)微電子研究所所長、教授Tibor GRASSERProfessor and Head of the Institute for Microelectronics at Technische Universit?t Wien, Austria
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guansheng2023-05-22 13:45
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)周凱
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中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)周凱
基于表面電位的-Ga2O3功率MOSFET緊湊模型A Surface Potential Based Compact Model for -Ga2O3 Power MOSFETs周凱中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)ZHOU KaiChina University of Science and Technology
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guansheng2023-05-19 14:49
香港科技大學(xué)副教授黃
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香港科技大學(xué)副教授黃
橫向和縱向-Ga2O3功率MOSFET的十年進(jìn)展A Decade of Advances in Lateral and Vertical -Ga2O3 Power MOSFETs黃文海香港科技大學(xué)副教授Man Hoi WONGAssociate Professor of The Hong Kong University of Science and Technology
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guansheng2023-05-19 14:45
中國電子科技集團(tuán)首席
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中國電子科技集團(tuán)首席
SiC功率MOSFET技術(shù)及應(yīng)用進(jìn)展柏松中國電子科技集團(tuán)首席專家、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任BAI SongChief Scientist of China Electronics Technology Group Corporation, Director of National Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices
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guansheng2023-05-19 09:39
西安電子科技大學(xué)微電
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西安電子科技大學(xué)微電
SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 張藝蒙西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University
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limit2022-05-01 17:18
劉紀(jì)美：High perform
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劉紀(jì)美：High perform
High performance GaN vertical trench gate MOSFETs劉紀(jì)美教授香港科技大學(xué)
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limit2022-01-11 17:22
張亞民：基于脈沖信號(hào)
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張亞民：基于脈沖信號(hào)
《基于脈沖信號(hào)導(dǎo)通延遲的SiC MOSFET結(jié)溫檢測(cè)方法研究》作者：姜山，張亞民，馮士維，石幫兵單位：北京工業(yè)大學(xué)
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limit2022-01-07 13:49
西安衛(wèi)光科技微晶微電
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西安衛(wèi)光科技微晶微電
西安衛(wèi)光科技微晶微電子有限公司總工程師、博士馮巍《SiC功率MOSFET封裝工藝》
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limit2020-02-02 16:22
鍇威特研發(fā)副總譚在超
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鍇威特研發(fā)副總譚在超
蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司研發(fā)副總譚在超《SiC MOSFET的產(chǎn)品特征及在電力電子的應(yīng)用機(jī)遇》
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limit2020-02-01 16:21
西安電子科技大學(xué)微電
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西安電子科技大學(xué)微電
西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院院長張玉明：SiC MOSFET高閾值的實(shí)現(xiàn)及給應(yīng)用帶來的優(yōu)勢(shì)
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limit2020-02-01 10:36
英飛凌科技香港有限公
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英飛凌科技香港有限公
極智報(bào)告|英飛凌科技香港有限公司市場(chǎng)總監(jiān)馬國偉：CoolSiCTMSiC MOSFET技術(shù)、器件和應(yīng)用更多精彩報(bào)告，敬請(qǐng)點(diǎn)擊頁面頂端下載極智頭條APP。
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limit2018-11-30 12:45
|香港應(yīng)科院高級(jí)經(jīng)理
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|香港應(yīng)科院高級(jí)經(jīng)理
極智報(bào)告|香港應(yīng)用科技研究院有限公司高級(jí)經(jīng)理劉學(xué)超：碳化硅MOSFET在新能源汽車中的應(yīng)用報(bào)告。更多專業(yè)報(bào)告，點(diǎn)擊頁面頂端下載極智頭條APP.
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limit2018-11-30 12:45

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