第二代高帶寬存儲器（HBM2）指定了每堆8個裸晶及每針傳輸速度上至2 GT/s的標準。為保持1024比特寬的訪問，第二代高帶寬存儲器得以在每個封裝中達到256GB/s的內存帶寬及上至8GB的內存。業界預測第二代高帶寬存儲器對極其需要性能的應用程序，如虛擬現實，至關重要。

　　2016年1月19日， 三星 集團宣布進入大量生產第二代高帶寬存儲器的早期階段，每堆擁有高達8GB的內存。SK海力士同時宣布于2016年8月發布4GB版本的內存。而伴隨著美光的即將出貨，存儲器市場將會再次形成三雄割據的場面。

　　此前，美光的開發重心都放在專有的混合存儲多維數據集（HMC）DRAM類型上，不過這種類型的DRAM并沒有獲得太多客戶的吸引力，因此始終沒有太大的改變。僅使用了少數稀有產品，如2015年在富士通PRIMEHPC FX100超級計算機中使用的富士通SPARC64 XIfx CPU。

 

　　美光宣布將在2018年暫停HMC的工作，并決定致力于GDDR6和HBM的開發。因此他們將會在今年的某個時候發布搭載HBM2 DRAM的產品。