東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。該產(chǎn)品面向工業(yè)應(yīng)用（包括大容量電源），并于今日開(kāi)始出貨。
 

該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡(jiǎn)系統(tǒng)。
 

新產(chǎn)品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝第二代芯片設(shè)計(jì)生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了輸入電容低、柵輸入電荷低、漏源導(dǎo)通電阻低等特性。與東芝推出的1200V硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT）“GT40QR21”相比，“TW070J120B”關(guān)斷開(kāi)關(guān)損耗降低80%左右，開(kāi)關(guān)時(shí)間（下降時(shí)間）縮短大約70%，并且能夠在不超過(guò)20A[2]的漏極電流下提供低導(dǎo)通電壓。
 

它的柵閾值電壓被設(shè)置在4.2V至5.8V的較高電壓范圍內(nèi)，有助于減少故障風(fēng)險(xiǎn)（意外開(kāi)啟或關(guān)閉）。此外，內(nèi)置的具有低正向電壓的碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）也有助于降低功率損耗。
 

在大容量AC-DC轉(zhuǎn)換器、光伏逆變器、大容量雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器等工業(yè)應(yīng)用中，這種新型MOSFET不僅將通過(guò)降低功率損耗來(lái)達(dá)到提高效率的目的，而且也將為縮小設(shè)備尺寸做出貢獻(xiàn)。
 

其應(yīng)用范圍是大容量AC-DC轉(zhuǎn)換器、光伏逆變器和大容量雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器。特性分別為：第2代芯片設(shè)計(jì)（內(nèi)置碳化硅SBD）；高電壓、低輸入電容、低總柵電荷、低導(dǎo)通電阻、低二極管正向電壓、高柵閾值電壓；增強(qiáng)類型易于操作。