日前，DRAM廠商南亞科宣布，將在中國臺灣新北市新建一座12英寸晶圓廠，新廠將采用雙層無塵室設計，使用南亞科自主研發的10納米制程，設計采用EUV極紫外光生產技術，規劃月產能約4.5萬片。今年底動工，2024年開始第一階段1.5萬片量產，總投資額達新臺幣3000億元（約合人民幣694億元）。
南亞科董事長吳嘉昭表示，該晶圓廠將以7年分三階段進行投資，計劃2021年底動工，2023 年底完工開始試產，并于2024 年開始第一階段量產，產出顆粒數將較現有產能增加。
此外，吳嘉昭強調南亞科目前也在全力發展DDR5以及LPDDR5高容量高速度的產品，希望通過先進制程上的研發能力，使臺灣地區DRAM產業更健康穩固地發展。
