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到2027年,氮化鎵和碳化硅功率半導體市場預計將超過45億美元

日期:2021-05-25 閱讀:481
核心提示:到2027年,GaN和SiC功率半導體市場預計將超過45億美元。各國政府為采用5G技術而采取的持續舉措將推動該行業的發展
 5G技術在全球的蓬勃發展和推廣,將為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率半導體制造商提供新的增長前景。這些半導體以提供小尺寸和高功率密度而聞名,在電信運營商擴大基礎設施發展的同時,加速了它們的采用。
 
根據Global Market Insights的一項研究,到2027年,GaN和SiC功率半導體市場預計將超過45億美元。各國政府為采用5G技術而采取的持續舉措將推動該行業的發展。
 
由于集成了專用芯片組和集成電路,SiC功率模塊內部的技術創新可以減少設備占地面積,提高能源效率,這可能會推動其在智能電網應用和智能電表中的需求。此外,由于工業自動化機器人和機械的發展趨勢,工業電機驅動部門預計將見證高產品需求。
 
2020年,離散型GaN類占行業份額的2%左右,預計在預測時間內復合年增長率將達到40%左右。分立GaN功率半導體具有低成本、寬禁帶等優點,因此在消費類電子器件中的充電應用需求不斷增加。
 
GaN和SiC功率半導體器件有助于提高功率密度,減小無源器件的尺寸,從而推動其在光伏逆變器中的應用。光伏逆變器應用領域在2020年的市場份額保持在25%以上,由于消費者對清潔電力的偏好激增,在預測的時間框架內,很可能以30%的復合年增長率增長。
標簽: GaN SiC 功率 半導體
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