5G技術在全球的蓬勃發展和推廣，將為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率半導體制造商提供新的增長前景。這些半導體以提供小尺寸和高功率密度而聞名，在電信運營商擴大基礎設施發展的同時，加速了它們的采用。
根據Global Market Insights的一項研究，到2027年，GaN和SiC功率半導體市場預計將超過45億美元。各國政府為采用5G技術而采取的持續舉措將推動該行業的發展。
由于集成了專用芯片組和集成電路，SiC功率模塊內部的技術創新可以減少設備占地面積，提高能源效率，這可能會推動其在智能電網應用和智能電表中的需求。此外，由于工業自動化機器人和機械的發展趨勢，工業電機驅動部門預計將見證高產品需求。
2020年，離散型GaN類占行業份額的2%左右，預計在預測時間內復合年增長率將達到40%左右。分立GaN功率半導體具有低成本、寬禁帶等優點，因此在消費類電子器件中的充電應用需求不斷增加。
GaN和SiC功率半導體器件有助于提高功率密度，減小無源器件的尺寸，從而推動其在光伏逆變器中的應用。光伏逆變器應用領域在2020年的市場份額保持在25%以上，由于消費者對清潔電力的偏好激增，在預測的時間框架內，很可能以30%的復合年增長率增長。
