近日，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微半導體”）首臺8英寸甚高頻去耦合反應離子（CCP）刻蝕設備Primo AD-RIE 200順利付運客戶生產線。
據悉，Primo AD-RIE 200刻蝕設備是中微半導體自主研發的新一代8英寸甚高頻去耦合反應離子（CCP）刻蝕設備，能夠滿足不同客戶8英寸晶圓的加工需求，同時可靈活配置多達三個雙反應臺反應腔（即六個反應臺）。此外，Primo AD-RIE 200還提供了可升級至12英寸刻蝕設備系統的靈活解決方案，以滿足客戶生產線未來可能擴產的需求。
圖片來源：中微半導體
資料顯示，中微半導體從事半導體設備的研發、生產和銷售，主要產品包括CCP刻蝕設備、ICP刻蝕設、MOCVD設備等。據中微半導體此前公布的年報顯示，2020年，中微半導體與國內外一流客戶保持緊密合作，相關設備產品研發進展順利、客戶端驗證情況良好。
其中CCP刻蝕設備Primo AD-RIE、Primo SSC ADRIE、Primo HD-RIE等產品批量應用于國內外一線客戶的集成電路加工制造生產線，在部分客戶市場占有率已進入前三位。此外，在先進邏輯電路方面，中微半導體已經成功取得5納米及以下邏輯電路產線的重復訂單。
在存儲電路方面，中微半導體的刻蝕設備在64層及128層3D NAND的生產線得到廣泛應用。隨著3D NAND芯片制造廠產能的迅速爬升，該等產品的重復訂單穩步增長。同時，公司積極布局動態存儲器的應用，并開始工藝開發及驗證。
Primo AD-RIE 200作為中微半導體新推出的用于8英寸晶圓加工的CCP刻蝕設備，不僅豐富了中微半導體現有的刻蝕設備產品線，也是中微半導體發展歷程中的又一個重要里程碑。
