晶圓代工大廠聯電及100%持股子公司宏誠創投宣布，兩家公司董事會通過與頎邦科技進行股份交換案。預計未來順利完成之后，聯電及頎邦科技兩家公司將建立長期戰略合作關系。

 

聯電指出，雙方基于多年來在驅動IC的領域密切聯系合作，雙方董事會決議以換股方式，相互取得對方股權，更進一步強化雙方長期戰略合作關系。三方同意依相關法規進行股份交換，由頎邦增資發行普通股新股67152322股作為對價，以受讓聯電增資發行之普通股新股61107841股，以及宏誠創投所持有之聯電已發行普通股16078737股，換股比例為聯電每1股換發頎邦0.87股。預計換股交易完成后，聯電及子公司宏誠創投將共同持有頎邦約9.09%股權，頎邦則將持有聯電約0.62%股權。

 

聯電強調，聯電當前以先進制程技術提供晶圓制造服務，為IC產業各項應用產品生產芯片，并且持續推出尖端制程技術及完整的解決方案，以符合客戶的芯片設計需求，所提供方案橫跨14納米到0.6微米之制程技術。頎邦的技術制程主要是聚焦于面板驅動IC封裝測試、覆晶凸塊制作及晶圓級芯片尺寸封測（WLCSP），并持續投入扇出型系統級封裝（FOSiP）及覆晶系統型封裝（FCSiP）等相關高端先進封裝技術制程開發。

 

另外，聯電為中國臺灣地區最早經營面板驅動IC晶圓代工的廠商，亦為成功使用28納米高壓制程于AMOLED面板驅動IC之先行者，并已進階至22納米。頎邦則是全球驅動IC封測代工領導者，產能、技術獨步全球。兩家公司將在驅動IC領域密切合作，整合前、后段制程技術，往更高頻、更低功耗等方向邁進，共同提供面板業界一元化的解決方案。

 

聯電進一步表示，聯電近年積極投入開發化合物半導體氮化鎵（GaN）功率元件與射頻組件制程開發，鎖定市場商機為高效能電源功率元件及5G射頻元件。頎邦在電源功率元件及射頻元件封測市場經營多年，并已在此行業占有舉足輕重之地位，服務項目包括覆晶凸塊（Bumping）、厚銅重布線（RDL）及晶圓級芯片尺寸（WLCSP）封測，適用晶圓材質除了硅（Si）外，也已經開始量產于砷化鉀（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等化合物晶圓上。頎邦也正在致力開發覆晶系統級（FCSiP）、扇出型系統級（FOSiP）等先進封裝技術。聯電、頎邦分居產業供應鏈之上下游，兩家公司將在這些市場區塊通力合作。