據鈦信資本公眾號2月16日發布的文章，英諾賽科（蘇州）科技有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）近日完成近30億元D輪融資。本輪融資由鈦信資本領投，毅達資本、海通創新、中比基金、賽富高鵬、招證投資等機構跟投。
鈦信資本創始人高毅輝表示：“氮化鎵作為一種新型半導體材料，是一個嶄新的領域，也是為數不多與國外差距不大、我國最有可能實現彎道超車的領域之一，市場前景非常廣闊。英諾賽科是氮化鎵領域全球龍頭，在團隊、技術、產能、客戶等方面都已達到領先的位置。英諾賽科由原美國宇航局（NASA）科學家駱薇薇博士帶隊，聚集了來自全球知名半導體企業的氮化鎵領域全球頂尖人才，具備豐富的研發、建廠、制造（工藝）和運營經驗。公司成立不久就建成中國首條8英寸硅基氮化鎵生產線，目前已經開始實現大規模量產，產能國內第一，還在持續快速爬升，公司客戶開拓進展也遠領先于競爭對手。隨著氮化鎵應用市場迎來快速增長，我們非?？春霉镜某砷L潛力，將以充足的支持助力其全面發展。”
英諾賽科（蘇州）科技有限公司于2015年成立，是第三代半導體硅基氮化鎵領域全球龍頭，也是全球唯一實現同時量產氮化鎵高、低壓芯片的IDM企業。英諾賽科技術處全球第一梯隊，產能國內第一，消費級市場中快充產品已領先于市場快速放量，未來數據中心、5G基站、新能源汽車等市場將持續接力構成公司增長曲線。
英諾賽科是躋身全球氮化鎵產業第一梯隊的國產半導體企業代表，是硅基氮化鎵領域全球龍頭。英諾賽科通過自主研發，攻克了8英寸硅晶圓襯底上外延生長氮化鎵單晶材料的世界級難題，首次實現8英寸硅基氮化鎵外延與芯片的大規模量產，同時填補了國內在該領域的空白。在非常短的時間內，英諾賽科打破了美國技術壟斷，實現了國產氮化鎵芯片的崛起。根據Trendforce 2021年數據，英諾賽科氮化鎵功率產品全球市場占有率一舉攀升至20%，躍升為全球第三，排名僅次于納微、PI。
據介紹，從核心技術的維度看，英諾賽科的核心技術集中于8英寸GaN-on-Si的外延、器件技術和工藝技術。以8英寸GaN-on-Si外延為例，英諾賽科正在使用最新一代的 Aixtron MOCVD reactor G5+C 來生產8英寸GaN-on-Si晶圓。此外，英諾賽科開發了專為優化高壓(HV)和低壓(LV)器件的8英寸GaN-on-Si外延緩沖技術。通過內部控制外延技術，可以快速調整外延制程，以適應特定的需求或應用。
從技術儲備的維度看，根據智慧芽數據顯示，英諾賽科及其關聯公司，目前在全球126個國家/地區中，共有超過230件專利申請。值得注意的是，上述專利中近90%為發明專利。進一步分析來看，英諾賽科當前的專利布局，主要集中于氮化鎵、功率器件等相關技術領域。
目前，英諾賽科是全球唯一實現同時量產氮化鎵高、低壓芯片的半導體企業，高壓快充產品出貨已達數千萬顆，低壓產品成功取代了某電源管理技術世界領先供應商產品，成為中國領先的激光雷達企業禾賽科技的供應商。此外，英諾賽科還與小米、OPPO、比亞迪、安森美、MPS等國內外廠商開展應用開發合作。
