2月17日，半導體晶圓片及芯片研發商英諾賽科完成近30億元D輪融資，本輪融資由鈦信資本領投，毅達資本、海通創新、中比基金、賽富高鵬、招證投資等機構跟投。鈦信資本作為本輪領投方，本輪出資6.5億，占比超過20%，也是投資金額最大的投資人。

 

英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發與產業化的高新技術企業。公司采用IDM全產業鏈模式，集芯片設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產能力。公司的主要產品涵蓋從低壓到高壓（30V-650V）的氮化鎵功率器件，產品設計及性能均達到國際先進水平，目前與小米、OPPO、比亞迪、安森美、MPS等國內外廠商開展應用開發合作。

 

鈦信資本創始人高毅輝表示：氮化鎵作為一種新型半導體材料，是一個嶄新的領域，也是為數不多與國外差距不大、我國最有可能實現彎道超車的領域之一，市場前景非常廣闊。英諾賽科是氮化鎵領域全球龍頭，在團隊、技術、產能、客戶等方面都已達到領先的位置。英諾賽科由原美國宇航局（NASA）科學家駱薇薇博士帶隊，聚集了來自全球知名半導體企業的氮化鎵領域全球頂尖人才，具備豐富的研發、建廠、制造（工藝）和運營經驗。公司成立不久就建成中國首條8英寸硅基氮化鎵生產線，目前已經開始實現大規模量產，產能國內第一，還在持續快速爬升，公司客戶開拓進展也遠領先于競爭對手。隨著氮化鎵應用市場迎來快速增長，我們非常看好公司的成長潛力，將以充足的支持助力其全面發展。