2月24日，晶盛機電（300316）發布公告稱：碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高電導率、高熱導率等優越物理特征。碳化硅襯底是寬禁帶半導體的核心材料，以其制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，具有開關速度快、效率高的優勢，可大幅降低產品功耗、提高能量轉換效率并減小產品體積。主要應用于以5G通信、航空航天為代表的射頻領域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領域，具有明確且可觀的市場前景。
碳化硅襯底制作的技術門檻較高，良率低，成本較高制約其發展，導致行業的整體產能遠不及市場需求。公司的技術優勢主要體現在：
①持續的設備研發能力。公司是國內晶體生長設備龍頭，同時深耕半導體大硅片加工設備領域多年，公司的晶體生長設備及加工設備均主要使用自研設備，公司不斷進行調試、提升設備性能，促進設備和工藝的高效融合。
②豐富的硬脆材料加工經驗。碳化硅與藍寶石在加工技術上具有較強的技術通用性。公司在硅和藍寶石材料的切割、研磨、拋光等關鍵設備上均有較強的技術基礎，已在半導體硅材料和藍寶石加工設備領域得到市場認可。
③成熟的規模化長晶經驗。公司長期圍繞硅、藍寶石和碳化硅三種晶體材料開展業務，在熱場設計、熱場仿真和工藝研發方面具有豐富的經驗。公司在藍寶石領域已具備上千爐臺集中控制的大規模生產經驗優勢，產品具有優良的品質穩定性和低成本優勢，可移植到碳化硅襯底材料的生產中。
④主要技術指標達到或優于業內技術水平。目前公司中試線產出的6英寸碳化硅襯底在直徑、多型面積、電阻率、彎曲度和翹曲度均達到業內指標范圍，襯底片總厚度變化率（TTV）可穩定達到＜3μm，微管密度（MPD）可穩定達到<0.2/cm2，達到或者優于業內技術水平。
