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拓荊科技即將登陸上交所科創板 打造半導體設備制造領域領軍企業

日期:2022-04-08 閱讀:479
核心提示:拓荊科技(688072)即將登陸上交所科創板。
拓荊科技(688072)即將登陸上交所科創板。

拓荊科技相關負責人在4月7日舉行的網上路演活動中表示,拓荊科技作為國內高端半導體設備行業重要的領軍企業,自成立以來始終專注于芯片制造所需核心設備之一的薄膜沉積設備領域,現已成為國內唯一一家產業化應用的集成電路PECVD、SACVD設備廠商,也是國內領先的ALD設備廠商。公司將積極把握行業機遇,以登陸資本市場為重要契機,進一步做大、做強主營業務,將公司打造成為半導體設備制造領域領軍企業。
 
半導體設備行業具有較高的成長性。其中,拓荊科技聚焦的薄膜沉積設備與光刻設備、刻蝕設備共同構成晶圓制造三大核心設備,決定了半導體芯片制造工藝的先進程度。
 
拓荊科技深耕行業十余年,不斷夯實技術儲備,充分把握行業機遇,強化自主研發,形成了包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備、原子層沉積(ALD)設備和次常壓化學氣相沉積(SACVD)設備三個產品系列。
 
公司近年來的營業收入和客戶數量均實現快速增長。2018年至2021年,拓荊科技累計實現營業收入15.15億元,其中2021年營收增長率達74%。公司主要產品已批量發往各大行業領先集成電路制造企業產線,廣泛應用于國內晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產線;同時,公司在研產品也已發往國際領先晶圓廠,參與其先進制程工藝研發。
 
相關業內人士表示,預計未來拓荊科技的三大系列產品將持續受益于行業高景氣度,或迎來業績高速增長期。
 
拓荊科技作為高新技術企業,一直立足于自主創新,持續投入研發。2018年至2020年及2021年前三季度,公司研發投入分別占各期營業收入的152.84%、29.58%、28.19%和34.65%。
 
在半導體薄膜沉積設備領域,拓荊科技積累了多項研發及產業化核心技術。截至2022年3月8日,拓荊科技累計獲取授權專利174項,其中發明專利共計98項。同時,公司還先后承擔了“90-65nm等離子體增強化學氣相沉積設備研發與應用”“1x nm 3D NAND PECVD 研發及產業化”等多項國家重大專項及課題。
 
憑借深厚的技術積累和巨大的研發投入,拓荊科技持續創新,不斷推出滿足市場需求的新產品。在PECVD、ALD及SACVD設備領域,拓荊科技已形成覆蓋20余種工藝型號的薄膜沉積設備,可滿足下游客戶晶圓制造產線多種薄膜沉積工藝需求。
 
拓荊科技創始團隊是以前后兩任董事長為核心的多名國家級專家組建的一支國際化技術團隊。公司成立數年來,拓荊科技始終立足核心技術研發,積極引進高層次人才、自主培養科研團隊。
 
截至2021年9月30日,拓荊科技研發人員189名,占員工總數的44.06%,是奠定公司技術實力的基石,也為公司提高產品市場競爭力提供有力保障。
 
此次登陸科創板,拓荊科技擬募集資金逾10億元,主要用于高端半導體設備擴產、先進半導體設備的技術研發與改進以及ALD設備研發與產業化等項目。
 
拓荊科技表示,公司未來將持續保持對最新技術的研究和投入,堅持技術和產品創新,繼續專注于高端半導體設備研發生產,擴大現有設備市場占有率,提高公司設備技術先進性,豐富設備種類,拓展技術應用領域,提高公司綜合競爭力,將公司打造成為半導體設備制造領域領軍者。
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