清純半導體成立于2021年3月，為國內領先的碳化硅功率器件設計和供應商，公司擁有國際領先的研發團隊，始終瞄準國際技術前沿，以提供國際一流的碳化硅功率芯片為己任。

公司成立一年來，技術與產品發展迅速，目前已突破國產SiC功率器件設計及大規模制造瓶頸，在極短時間內先后開發出自主知識產權的SiC二極管及 Mosfet器件產品，產品先后通過車規級可靠性測試，是目前國內唯一能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達到國際一流水平、并且基于國內產線量產SiC Mosfet的企業。

 

自中國明確雙碳目標以來，我國新能源行業進入跨越式發展階段。新能源汽車行業正步入爆發期，這也催生出了巨大的功率器件市場。SiC功率器件得益于高壓、高溫及高頻的獨特優勢，正成為新一代電力轉換的核心器件，已在新能源汽車、光伏逆變器、儲能等領域獲得廣泛應用，顯著提高了電力轉換效率。國家“十四五”計劃點名發展“碳化硅等寬禁帶半導體”，希望國內廠商能夠盡快追趕國際水平，推出自主可控的產品。

 

SiC Mosfet作為應用最廣泛的碳化硅功率器件，早已在國內相關行業龍頭企業比亞迪、陽光電源和華為等的旗艦產品系列中廣泛使用，其需求也在迅速擴大。但SiC Mosfet相關核心技術始終未被突破，在產品性能和可靠性方面與國際主流產品仍有較大差距，國內市場主要被國外廠商占據。

 

該器件主要有18V驅動和15V驅動兩個類型，其中15V驅動產品優勢更加明顯：客戶采用15V驅動的產品，一是系統可以更好兼容目前IGBT驅動電路；二是進一步提升了器件的可靠性，同時降低了驅動損耗；三是國內驅動芯片廠商大多供應15V的驅動芯片，國產配套容易。但是15V驅動的產品開發難度更大，對產品設計水平和制造工藝的要求更高，經過近年來的努力，國內已有個別廠家能夠少量提供18V驅動的SiC Mosfet產品，但國際主流廠商已開始大力推廣15V驅動的SiC Mosfet，加快對傳統硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）產品的替代，由此進一步拉開了與國內產品的技術代差。

 

清純半導體此次發布的15V驅動的1200V SiC Mosfet器件平臺產品首次填補了國內該系列產品空白，帶領國內SiC功率器件技術躋身國際領先水平。相比國際主流產品，本次清純半導體推出的15V驅動1200V SiC Mosfet器件產品，具有更低的導通損耗、更低的熱阻、較低開關損耗，綜合損耗更小，效率更高。

 

下表是清純半導體Mosfet與國際一流產品（源于各產品的規格書）的比較：

清純半導體基于自主工藝開發的國產1200V SiC Mosfet系列產品一經推出即得到市場的熱烈響應，首款1200V 75mΩ SiC Mosfet產品已經通過車規級測試并獲得國內領先新能源逆變器制造商的批量訂單。

 

目前，清純半導體已完成1200V全系列碳化硅功率器件的產品化，可提供1200V 15A、20A、30A、40A等規格SiC SBD（碳化硅-肖特基二極管）及1200V 75mΩ、60mΩ、40mΩ、32mΩ及大電流車載芯片等規格SiC Mosfet（18V和15V驅動可選）。其供應的SiC器件具有國際先進水平的卓越性能，可廣泛應用于新能源汽車、充電樁、工業電源、光伏逆變、UPS、通信電源等大功率、高頻、高效率領域，可直接實現SiC器件的國產替代，同時具備高可靠性、兼容IGBT驅動電壓等優勢，豐富的產品系列能夠滿足諸多目標應用的需求，進一步推動國產高性能功率芯片的發展和應用。