源杰科技經過多年研發與產業化積累，已形成了具備“掩埋型激光器芯片制造平臺”和“脊波導型激光器芯片制造平臺”的兩大芯片制造平臺基；積累了包括高速調制激光器芯片技術、異質化合物半導體材料對接生長技術、小發散角技術等八大技術實現性能優勢和成本優勢。

 

面向未來，源杰科技表示將繼續深耕光芯片行業，著力提升高速率激光器芯片產品的研發能力，著力打造良性的人才梯隊，加速研發成果的轉化。基于現有的光通信領域繼續縱向深耕，推出更高速率的激光器芯片產品，積極向激光雷達、消費電子等領域布局探索。持續培育并夯實開發高質量光通信領域激光器芯片產品所需的三大關鍵技術力：前瞻設計開發與知識產權、晶圓工藝開發梯隊、高端設備應用與相應制程技術。公司將加大投資并加強專業培訓，進一步深化技術優勢。

 

此外，源杰科技正在加速研發下一代激光器芯片產品，并積極拓展光芯片在其他領域的應用。目前，公司在光通信領域已著手50G、100G高速率激光器芯片產品以及硅光直流光源大功率激光器芯片產品的商用推進，力圖實現在高端激光器芯片產品的特性及可靠性方面對美、日壟斷企業的全面對標。同時，源杰科技向應用廣泛的傳感市場布局。