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東部高科將建8英寸SiC產線,目標2025年供應車用1200V SiC MOSFET

日期:2022-06-24 閱讀:356
核心提示:東部高科副會長Chang-sik Choi在最近舉行的韓國半導體顯示技術學會20周年紀念活動上表示,公司計劃在位于忠清北道的8英寸晶圓廠建設新一代功率半導體生產線,目標是在2025年生產并向成品汽車供應首款1200伏 SiC MOSFET。
半導體產業網獲悉,東部高科副會長Chang-sik Choi在最近舉行的韓國半導體顯示技術學會20周年紀念活動上表示,公司計劃在位于忠清北道的8英寸晶圓廠建設新一代功率半導體生產線,目標是在2025年生產并向成品汽車供應首款1200伏 SiC MOSFET。
 
據ETNews報道,東部高科目前正在測試和生產6英寸功率半導體,該項目被韓國工業通商資源部選為8英寸SiC MOSFET量產基地建設項目。Chang-sik Choi強調說:“生產日程有可能會提前。”“正在積累6英寸功率半導體的生產技術。”
 
東部高科是韓國最大的8英寸硅基晶圓制造商,其位于京畿道和忠清北道的兩家晶圓廠目前為IC設計客戶生產功率半導體、模擬電路、圖像傳感器、顯示驅動IC (DDI)等產品,兩家晶圓廠總產能達到13.8萬張/月。公司預計將利用忠清北道晶圓廠的閑置空間,建設新一代SiC半導體基礎設施。 
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